當一個金屬或半導體晶片的一個通用電流被垂直放置在磁場中時，在片的兩端會產生電位差，這種現象被稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U，其表達式為： U=K·I·B/d，其中 K 為霍爾系數，I 為薄片中通過的電流，B 為外加磁場(洛倫慈力 Lorrentz)的磁感應強度，d 是薄片的厚度。

　　可以看出，霍爾效應的靈敏度與所施加的磁場的磁感應強度成正比?；魻柦咏_關屬于有源磁/電變換器，它是在霍爾效應原理的基礎上，采用先進的集成封裝和裝配的生產工藝，它可以方便地將磁輸入信號轉換為電信號在實際應用中，而且還具有工業應用的應用簡單的操作和可靠性要求。

　　霍爾接近開關的輸入端是以磁感應強度B表示，當b值達到一定程度(如B1)，內部開關觸發器霍爾接近開關輸出電平狀態也隨之逆轉。輸出一般采用晶體管輸出，和電感式接近開關是相似的：PNP、NPN、常開、常閉、鎖型(雙極性)、雙信號的幾種類型的輸出。

　　霍爾接近開關是一種磁接近開關，無電沖擊，功耗低，使用壽命長，頻率響應高，內部使用環氧樹脂密封填料的生產結構的集成，使它能可靠地工作在各種惡劣環境中。它可應用于接近開關，壓力開關，里程表，它是一種新型的電器配件。圖1是它的內部原理和傳輸特性?；魻柺介_關比感應開關響應頻率高，它利用磁鋼觸發，觸發與導磁金屬電感，霍爾開關感應距離除了外部傳感器本身的性能，而且與磁鐵的磁場強度