傳感器的內光電效應是什么?今天德寶小編給大家介紹一下有關這方面的知識：

　　當光照射到半導體表面時，光子的能量被半導體中的電子吸收，從而使電子逸出從半導體表面的表面到周圍的空間。這種現象可以用來制作陰極射線管、光電倍增管和攝像管的時間等。

　　具有帶隙的半導體材料的價態和導帶，其能隙一般是：在一般情況下，電子不自發地在價帶上的導帶，所以半導體材料的導電性比導體好得多。但如果在某種程度上對電子在價帶能量，將激發到導帶和形成的載體，導電性的增加。光是一種激勵模式。當入射光能量H V等于或大于例如(例如是帶隙)，在吸收的光子能量的導帶中的電子和過渡到導帶，并在價帶上留下一個洞，形成一個導電的電子-空穴對。

　　這里的電子沒有逃脫光電子的形成，但顯然有一個光由于電效應。因此，這種光電效應是一種內光電效應。從理論和實驗的結果中，我們可以看到，在入射光的能量在價帶到導帶的電子躍遷的限制，Eλ= H V 0 =如，其中V 0是低頻率的限制，稱為臨界頻率v 0 =呃。這種關系也可以在長波極限，即表示，0 = hceg。入射光頻率大于或小于0的波長λ0，電子帶間躍遷發生。

　　當入射光的能量小，不能使電子從價帶向導帶，就有可能使電子吸收的光，在一個波段的分能級結構(圖1中的每一波段的細線)之間的轉換